История:
APT40GP60B2DQ2G
STGW40V60F
STGY50NC60WD
2N3054A
K2500SRP
AC0201FR-072M2L
184509
APT85GR120B2
APT75GP120JDQ3
5406000
K3601G
ACST1235-7G
T810-600B
AC0201FR-071ML
K3002G
UMH1NFHATN
K2502G
APTGLQ300H65G
K2501G
Z0109MA 2AL2
Z0109M1
055109
105534
ZXTP5401GTA
K3601GL
K2501GL
096113
K2002GRP
T830-8FP
STGWA40H65DFB
FD150R12RT4
TPDV840RG
K2000GAP
2SK3666-3-TB-E ON Semiconductor
Нет в наличии
Производитель:
ON Semiconductor
Описание:
2SK3666-3-TB-E ON Semiconductor
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
30 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
- 30 V
Gate-Source Cut-off Voltage
- 1 nA
Drain-Source Current at Vgs=0
3 mA
Id - Continuous Drain Current
10 mA
Pd - Power Dissipation
200 mW
Rds On - Drain-Source Resistance
200 Ohms
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Unit Weight
8 mg
Brand
ON Semiconductor
Configuration
Single
Factory Pack Quantity
3000
Forward Transconductance - Min
3 ms
Mounting Style
SMD/SMT
Package/Case
SC-59-3
Packaging
Reel
Product Category
JFET
Product Type
JFETs
RoHS
Details
Series
2SK3666
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Type
JFET
Описание
Транзистор 2SK3666-3-TB-E ON Semiconductor
В каталоге Components.by представлен электронный компонент 2SK3666-3-TB-E ON Semiconductor . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом 2SK3666-3-TB-E , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Транзистор 2SK3666-2-TB-E ON Semiconductor купить в Минске в каталоге Components.by

