6MS24017E33W32859NOSA1
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.4 V
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module 6MS24017E33W32859NOSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

