История:
WS1.5
101950
LS1017ASE7HNA
049593
100481
DA-003-FS
048792
055000
DS2.5
AD790JRZ
048786
105366
DS10
9EL2
024179
048784
DB3TG
DS16
010641
094151
024058
GA040TH65
024589
LS1017ASE7PQA
062005
024177
AM1705DPTP4
AM1705DPTP3
025199
024061
096402
030396
E-PC
STB2.5
096325
024222
L313F
DB3WSEL
SMDB3
024659
STB10
059986
STB16
024084
096331
5402000
190264
024588
STB6
024592
024063
094841
STB4
024178
024490
024474
094100
024657
PM-RJ45-SR7E02-RJ45-C1078
062000
DB4
DB3
065166
024656
AD8468WBKSZ-R7
CAP-RJ45-C1078
010643
186169
106987
106985
106986
054635
AD8465WBCPZ-R7
AD8611ARMZ-R2
A1C15S12M3
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
STMicroelectronics
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.95 V
Configuration
Converter Inverter Brake
Gate-Emitter Leakage Current
500 nA
Continuous Collector Current
15 A
Power Dissipation
142.8 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module A1C15S12M3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль A1C15S12M3 в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by

