История:
AC0603FR-0716KL
MLH0805-2N7-03
AC0603FR-07300RL
V8RA8X2749
AC0603FR-0734K8L
E38/8/25-3C97
ADTA143ZUAQ-7
IKD04N60RA
AIKW50N65DF5XKSA1
PLT14/5/1.5-3F46
T1050H-6I
AC0603FR-072K61L
FZ2400R12HP4_B9
PLT14/5/1.5-4F1
AC0603FR-0760R4L
TDB6HK240N16P
KWant250-1C05SGP
K2400EH70
BCR 198 E6327
APT30GT60BRG
QK006NH4RP
A1P25S12M3-F
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
STMicroelectronics
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.95 V
Configuration
6-Pack
Gate-Emitter Leakage Current
500 nA
Continuous Collector Current
25 A
Power Dissipation
197 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module A1P25S12M3-F: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль A1P25S12M3-F в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by