История:
054652
186299
094836
093880
048831
094158
019568
184397
184489
094112
5410100
2DB1132R-13
096145
096320
100455
058906
LBP01-0803SC5
069900
055124
475113
067548
094157
186358
065003
049355
100478
DB3SEL
184487
096400
105486
048781
094111
0RBOX005Z
030395
2N3501
049640
010639
049587
BUF07704AIPWPR
096324
096319
A1P25S12M3
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
STMicroelectronics
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.95 V
Configuration
6-Pack
Gate-Emitter Leakage Current
500 nA
Continuous Collector Current
25 A
Power Dissipation
197 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module A1P25S12M3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль A1P25S12M3 в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by

