История:
DBYS-02A63-C04
AT17LV010-10PI
AC0603FR-07191RL
KWant250-1C28SDP
MG12450WB-BN2MM
T3035H-8I
AFGHL50T65SQDC
5M2210ZF324C5N
FP10R12W1T4_B11
FP15R12W1T4_B11
K2400EH70AP
RM4/I-3F36
ASO-205
AA1206JR-070RL
BD5.1/2/4-4S2
AC0603FR-07100RL
APTGT200A170D3G
APTGL475SK120D3G
FGH75T65SHD-F155
APTGTQ50TA65T3G
AC0603FR-0716RL
BTB12-800CWRG
AC0201FR-0722R1L
2DC4617Q-7-F
RM8/I-3C94
A1P35S12M3-F
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
STMicroelectronics
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.95 V
Configuration
6-Pack
Gate-Emitter Leakage Current
500 nA
Continuous Collector Current
35 A
Power Dissipation
250 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module A1P35S12M3-F: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль A1P35S12M3-F в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by