История:
96MPP-3.1-3M11T
A2C25S12M3-F
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
STMicroelectronics
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.95 V
Configuration
Converter Inverter Brake
Gate-Emitter Leakage Current
500 nA
Continuous Collector Current
25 A
Power Dissipation
197 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module A2C25S12M3-F: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet