A2C50S65M2-F
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
STMicroelectronics
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.95 V
Configuration
CIB
Gate-Emitter Leakage Current
500 nA
Continuous Collector Current
50 A
Power Dissipation
208 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module A2C50S65M2-F: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet