История:
APL602B2G
L313F
AM1707DZKB4
024057
A2P75S12M3
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
STMicroelectronics
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.95 V
Configuration
6-Pack
Gate-Emitter Leakage Current
500 nA
Continuous Collector Current
75 A
Power Dissipation
454.5 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module A2P75S12M3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

