История:
APT40GR120S
127042
UMH2NFHATN
054311
DA-016-FC
LSP05GI240S
DBYV-02AX7-C35
APT100GLQ65JU2
ACST1035-7T
APT75GP120J
1079099
2N2222A
2DA1201YQTC
4507516-110
ADRF5730BCCZN
STB4-TW
DS10-PE
ADC124EUQ-13
122217
054314
21510X
HC82AY-1
M12A04Z-FAASTUB
2N3906TA
STGWT80H65DFB
STGWT30V60DF
2N3906TFR
2N3904BU
STGWT40V60DF
2N3904TF
2N3964
2N3906BU
STGW60V60DF
2N3962
2N3906TF
2N3905
STGW80V60DF
2N3904
2N3947
STGW75M65DF2
2N3963
2N3906
2N4014
2N4029
2N4013
STGWA75M65DF2
STGWA20M65DF2
STGWA30M65DF2
STGWA50M65DF2
APT150GT120JR
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
3.2 V
Gate-Emitter Leakage Current
900 nA
Continuous Collector Current
170 A
Power Dissipation
830 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT150GT120JR: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль APT150GT120JR в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by

