История:
5M160ZM68C4N
APT15GT120BRDQ1G
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
APT15GT120BRDQ1G
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Collector-Emitter Voltage
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
3.2 V
Maximum Gate Emitter Voltage
30 V
Continuous Collector Current at 25 C
36 A
Power Dispation
250 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-APT15GT120BRDQ1G: Биполярный транзистор с изолированным затвором

