История:
5402000
APL602B2G
L313F
AM1707DZKB4
024057
APT35GN120BG
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
APT35GN120BG
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Collector-Emitter Voltage
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.7 V
Maximum Gate Emitter Voltage
30 V
Continuous Collector Current at 25 C
94 A
Power Dispation
379 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-APT35GN120BG: Биполярный транзистор с изолированным затвором

