История:
AD8468WBKSZ-R7
AD8465WBCPZ-R7
AD8611ARMZ-R2
APT40GR120B2D30
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
APT40GR120B2D30
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Collector-Emitter Voltage
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.5 V
Maximum Gate Emitter Voltage
30 V
Continuous Collector Current at 25 C
88 A
Power Dispation
500 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-APT40GR120B2D30: Биполярный транзистор с изолированным затвором
IGBT-транзистор APT40GR120B2D30 в каталоге Components.by