Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) APT50GN120L2DQ2G

APT50GN120L2DQ2G

APT50GN120L2DQ2G
APT50GN120L2DQ2G
Артикул:
Описание: APT50GN120L2DQ2G
Характеристики
Manufacturer Microchip
Collector-Emitter Voltage 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.7 V
Maximum Gate Emitter Voltage 30 V
Continuous Collector Current at 25 C 134 A
Power Dispation 543 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-APT50GN120L2DQ2G: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer Microchip
Collector-Emitter Voltage 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.7 V
Maximum Gate Emitter Voltage 30 V
Continuous Collector Current at 25 C 134 A
Power Dispation 543 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-APT50GN120L2DQ2G: Биполярный транзистор с изолированным затвором