История:
AD8468WBKSZ-R7
AD8465WBCPZ-R7
AD8611ARMZ-R2
APT50GN60BG
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
APT50GN60BG
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Collector-Emitter Voltage
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Maximum Gate Emitter Voltage
30 V
Continuous Collector Current at 25 C
107 A
Power Dispation
366 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-APT50GN60BG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
IGBT-транзистор APT50GN60BG в каталоге Components.by