APT50GR120L
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
3.5 V
Configuration
Single
Gate-Emitter Leakage Current
250 nA
Continuous Collector Current
117 A
Power Dissipation
694 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT50GR120L: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet