История:
L313F
DB3WSEL
SMDB3
024659
STB10
059986
STB16
024084
096331
5402000
190264
024588
STB6
024592
024063
094841
STB4
024178
024490
024474
094100
024657
PM-RJ45-SR7E02-RJ45-C1078
062000
DB4
DB3
065166
024656
AD8468WBKSZ-R7
CAP-RJ45-C1078
010643
186169
106987
106985
106986
054635
AD8465WBCPZ-R7
AD8611ARMZ-R2
APT50GS60BRG
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
APT50GS60BRG
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Collector-Emitter Voltage
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.8 V
Maximum Gate Emitter Voltage
30 V
Continuous Collector Current at 25 C
93 A
Power Dispation
415 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-APT50GS60BRG: Биполярный транзистор с изолированным затвором
IGBT-транзистор APT50GS60BRG в каталоге Components.by

