История:
L313F
AM1707DZKB4
024057
APT60GA60JD60
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2 V
Gate-Emitter Leakage Current
100 nA
Continuous Collector Current
112 A
Power Dissipation
356 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT60GA60JD60: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet