История:
PS10-PE-01P
0154.500DRL
Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Транзисторы
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBT
APT60GA60JD60
APT60GA60JD60
APT60GA60JD60
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2 V
Gate-Emitter Leakage Current
100 nA
Continuous Collector Current
112 A
Power Dissipation
356 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT60GA60JD60: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2 V
Gate-Emitter Leakage Current
100 nA
Continuous Collector Current
112 A
Power Dissipation
356 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT60GA60JD60: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

