История:
096333
184513
058910
185835
066525
186200
049345
184500
054725
096146
058905
049480
066927
186382
186172
184463
100450
054877
067440
067703
475108
058920
184560
054723
122228
067443
054313
054628
064309
235207
025438
206701
066519
2N2484
058960
AS32 1R030
101953
067436
054648
100470
054649
LSP05277P
235209
184418
186176
096031
APT60GT60JRDQ3
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2 V
Configuration
Single
Gate-Emitter Leakage Current
100 nA
Continuous Collector Current
105 A
Power Dissipation
379 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT60GT60JRDQ3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль APT60GT60JRDQ3 в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by

