APT75GN60LDQ3G
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
APT75GN60LDQ3G
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Collector-Emitter Voltage
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.45 V
Maximum Gate Emitter Voltage
30 V
Continuous Collector Current at 25 C
155 A
Power Dispation
536 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-APT75GN60LDQ3G: Биполярный транзистор с изолированным затвором