APT80GP60J
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.2 V
Configuration
Single
Gate-Emitter Leakage Current
100 nA
Continuous Collector Current
151 A
Power Dissipation
462 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APT80GP60J: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet