История:
SP44901X-6
APTGFQ25H120T2G
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.1 V
Configuration
Quad
Gate-Emitter Leakage Current
150 nA
Continuous Collector Current
40 A
Power Dissipation
227 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGFQ25H120T2G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet