История:
PRF18BE471QS5RB
STGP40V60F
BK-S505H-V-4-R
PD110FG80
Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Транзисторы
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBT
APTGL240TL120G
APTGL240TL120G
APTGL240TL120G
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.8 V
Continuous Collector Current
305 A
Power Dissipation
1 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGL240TL120G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.8 V
Continuous Collector Current
305 A
Power Dissipation
1 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGL240TL120G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

