История:
DFE250X600NA
APT50M50JVFR
16051220
KWasar15C140
APTGL40H120T1G
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.85 V
Configuration
Full Bridge
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Continuous Collector Current
65 A
Power Dissipation
220 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGL40H120T1G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet