История:
AVS12CB
AVS10CB
ZXTP718MATA
APT80GP60B2G
CMD282
ACST830-8GTR
APTGL475U120DAG
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.8 V
Configuration
Single
Continuous Collector Current
610 A
Power Dissipation
2.307 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGL475U120DAG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль APTGL475U120DAG в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by