История:
MCMA400PD1600P-PC
AM3356BZCEA60
STGW80H65DFB-4
APTGL60H120T3G
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.85 V
Configuration
Full Bridge
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Continuous Collector Current
80 A
Power Dissipation
280 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGL60H120T3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet