История:
065555
058947
DS1.5
055097
APT65GP60JDQ2
ZXTP25040DFHTA
022445
2N3704
032286
054602
016414
094831
5407600
059980
049658
019566
101774
ACST310-8FP
093900
188015
HMC900LP5E
2N3703
094144
186356
184502
186199
024068
094827
096438
186196
018236
026219
450702
055015
062859
184486
067418
475104
APT20M11JFLL
058928
054306
049495
054644
094824
096121
096096
067435
049595
099308
APT10021JLL
093884
054646
1PK-710KB
096170
094826
APTGL90A120T1G
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.85 V
Configuration
Dual
Gate-Emitter Leakage Current
600 nA
Continuous Collector Current
110 A
Power Dissipation
385 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGL90A120T1G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль APTGL90A120T1G в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by

