История:
049360
058752
062864
093883
105481
101901
2N2906
096323
093901
068262
101894
100485
049490
1065313
058907
AS35 3R030
021787
048783
054657
100460
094829
060164
026113
054802
095883
048790
031888
195656
186355
021799
025358
096027
099299
DMVA2ZCER
AS35 2R035
096124
094832
ACST435-8FP
058909
094092
105482
021785
101889
186296
093906
096434
CMD325
094828
CMD281C3
2N2907
184497
095876
094822
062865
075095
096396
021791
435308
059111
APT10043JVR
128786
096437
094102
096174
101780
APTGL90DA120T1G
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.85 V
Configuration
Single
Gate-Emitter Leakage Current
600 nA
Continuous Collector Current
110 A
Power Dissipation
385 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGL90DA120T1G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль APTGL90DA120T1G в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by

