История:
APT85GR120J
MXSMBG8.5A
APTCV40H60CT1G
APTGLQ150H120G
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.05 V
Configuration
Quad
Gate-Emitter Leakage Current
240 nA
Continuous Collector Current
250 A
Power Dissipation
750 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGLQ150H120G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet