История:
APTGT75X60T3G
K2200SHURP
Z0103MNT1G
MWI75-06A7T
APTGT50X60T3G
TT160N16SOF
AC0201FR-07160RL
UMG3NTR
ESS-120A-25-S-OR-00
RM5/ILP-3F36
RM10/ILP-3F4
MLP0603-501
BCR135SH6327XT
FF600R12ME4EB11BOSA1
BCR5FM-12LB
LSP05G277S
LSP05G240S
LSP05G480S
QK012LH5TP
BCR16CM-12LB
QK016LH4TP
QK016LH3TP
QK015R5
QK016NH3TP
QK015N5TP
ZXTPS718MCTA
QK012LH2TP
2N4424
APTGLQ150H120G
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.05 V
Configuration
Quad
Gate-Emitter Leakage Current
240 nA
Continuous Collector Current
250 A
Power Dissipation
750 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGLQ150H120G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль APTGLQ150H120G в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by