История:
VVZ39-12HO7
MCNA150PD2200YB
VVZ175-12IO7
APTGLQ200H120G
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.05 V
Configuration
Full Bridge
Gate-Emitter Leakage Current
340 nA
Continuous Collector Current
350 A
Power Dissipation
1 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGLQ200H120G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet