Минск, Одесская 14, офис 5

Пн-пт: 9:00 - 17:30
[email protected]

+375 (17) 513-70-10 +375 (44) 761-18-88

Каталог электронных компонентов

Пн-пт: 9:00 - 17:30

[email protected]

phone

История: E19/8/5-3C96 AA1206FR-071KL IKD10N60RATMA1 CST19/11/12-3S4 BTB16-800BW3G E14/3.5/5-3F36 AC0603FR-071K8L MLH0603-47N-5 S10A-BM-1L.M SR1206FR-7T100RL E13/7/4-3C90 2305A-1HDCGI8 AC0603FR-07274KL BC22/12/18-3C90 Z0103NN0,135 E22/6/16-3C96 BTA316B-600B0J E16/8/5-3C96 10-643729-003 E19/8/5-3C92 RM14/I-3C90 SR1210JR-072KL AC0603FR-0712K4L E55/28/25-3C91 BCR 133W H6327 BD5.1/2/4-3S1 FGH75T65SQD-F155 DS1.5-TW-PE AC0201FR-071K21L 5M160ZT100A5N

Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBT

APTGLQ25H120T1G

APTGLQ25H120T1G

APTGLQ25H120T1G

Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.

Нет в наличии

Артикул:

APTGLQ25H120T1G

Описание: APTGLQ25H120T1G

Datasheet:

Характеристики

Manufacturer Microchip

Product IGBT Silicon Modules

Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V

Collector-Emitter Saturation Voltage 2.05 V

Configuration Quad

Gate-Emitter Leakage Current 150 nA

Continuous Collector Current 50 A

Power Dissipation 165 W

Описание

Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGLQ25H120T1G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором

Скачать datasheet

Купить IGBT модуль APTGLQ25H120T1G в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by