История:
APTGT75A60T1G
IKB20N60T
DS1.5-3L-PV
DBYB-02AX8-W25
A1C15S12M3
IXBOD1-26RD
IGP50N60TXKSA1
T1635H-8G
5KP22C-T
Z0103MA0,116
DBYS-02A63-C04
AT17LV010-10PI
AC0603FR-07191RL
KWant250-1C28SDP
MG12450WB-BN2MM
T3035H-8I
AFGHL50T65SQDC
5M2210ZF324C5N
FP10R12W1T4_B11
FP15R12W1T4_B11
K2400EH70AP
RM4/I-3F36
ASO-205
AA1206JR-070RL
BD5.1/2/4-4S2
AC0603FR-07100RL
APTGT200A170D3G
APTGL475SK120D3G
FGH75T65SHD-F155
APTGTQ50TA65T3G
AC0603FR-0716RL
BTB12-800CWRG
AC0201FR-0722R1L
2DC4617Q-7-F
RM8/I-3C94
APTGLQ25H120T2G
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.05 V
Configuration
Quad
Gate-Emitter Leakage Current
150 nA
Continuous Collector Current
50 A
Power Dissipation
165 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGLQ25H120T2G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль APTGLQ25H120T2G в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by

