История:
MXSMBG26A
MXSMBG60A
MXSMBG7.0A
APTGLQ30H65T3G
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.95 V
Configuration
Quad
Gate-Emitter Leakage Current
300 nA
Continuous Collector Current
40 A
Power Dissipation
95 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGLQ30H65T3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet