APTGLQ40HR120CT3G
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V; 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.05 V; 1.5 V
Configuration
Dual Common Emitter
Gate-Emitter Leakage Current
120 nA; 600 nA
Continuous Collector Current
75 A; 80 A
Power Dissipation
250 W; 176 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGLQ40HR120CT3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet