Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBT APTGLQ75H120T3G

APTGLQ75H120T3G

APTGLQ75H120T3G
APTGLQ75H120T3G
Артикул:
Описание: APTGLQ75H120T3G
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.05 V
Configuration Full Bridge
Gate-Emitter Leakage Current 150 nA
Continuous Collector Current 130 A
Power Dissipation 385 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGLQ75H120T3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.05 V
Configuration Full Bridge
Gate-Emitter Leakage Current 150 nA
Continuous Collector Current 130 A
Power Dissipation 385 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGLQ75H120T3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet