История:
IXYH60N90C3
IXGH48N60B3
BYM600A170DN2
ACST610-8G
APT50GT120B2RG
A2P75S12M3
Z0107MA 5AL2
APT100GLQ65JU3
UMH3NFHATN
ACST1210-7T
APTGT300TL65G
Z0109MA 5AL2
ADTC124ECAQ-13
A1P35S12M3
A2C35S12M3
APT30GP60JDQ1
APT40GP60B2DQ2G
STGW40V60F
STGY50NC60WD
2N3054A
K2500SRP
AC0201FR-072M2L
184509
APT85GR120B2
APT75GP120JDQ3
5406000
K3601G
ACST1235-7G
T810-600B
AC0201FR-071ML
K3002G
UMH1NFHATN
K2502G
APTGLQ300H65G
K2501G
Z0109MA 2AL2
Z0109M1
055109
105534
ZXTP5401GTA
K3601GL
K2501GL
096113
K2002GRP
T830-8FP
STGWA40H65DFB
FD150R12RT4
TPDV840RG
K2000GAP
APTGT100DA120T1G
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.7 V
Configuration
Single
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Continuous Collector Current
140 A
Power Dissipation
480 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT100DA120T1G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль APTGT100DA120T1G в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by

