История:
101967
122309
054631
122447
202PS1J
128763
122215
186193
APT70GR65B2SCD30
235214
5402200
055024
184503
0RBOX003Z
105476
235204
187648
184407
054727
2N3391A
APT95GR65B2
122212
195650
APT50GF120LRG
191284
054812
093895
AT89LP51-20MU
054624
122433
191277
AM1808EZCE4
023512
096177
127053
LSP10240S
058899
055043
054724
096122
096127
191092
AS35 10018
054720
101954
IXBOD2-56R
125555
096171
191279
AM1808EZCE3
069496
101958
191280
1065319
CP-416
184353
CP-3148
054819
235211
054800
067426
LSP10480P
020467
2N2924
061443
101788
122210
125161
059422
AM1806EZCE4
184514
002030
122480
ACST1635-8FP
IXBOD1-08
096321
STGIPL20K60
058925
CP-393
ZXTP5240F-7
105478
162PS1J
101886
APT64GA90LD30
067651
055023
RN4907,LF
101955
184319
184488
122238
5407400
122236
5401400
186188
040727
APTGT100DA60T1G
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Configuration
Single
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Continuous Collector Current
150 A
Power Dissipation
340 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT100DA60T1G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль APTGT100DA60T1G в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by

