История:
2N3020
APTC60HM83FT2G
2N3108
LSP05480PM
2N3708
2N2926
APT50GP60JDQ2
ZXTP25100CFHTA
2N3705
AVS1ACP08
APT80GA90LD40
ACST1035-7FP
APT80GA60LD40
2N3584
IXBOD2-50R
2N3715
100474
2N2925
2N3716
LSP05480P
2N2923
099314
061444
ASO-220
058904
APT100F50J
021782
126980
095878
LSP05GI347P
058937
2N3707
093860
054592
027654
049585
049362
049592
021778
186170
STGIPS20C60
096407
APTGT100DU170TG
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1700 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2 V
Configuration
Dual
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Continuous Collector Current
150 A
Power Dissipation
560 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT100DU170TG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль APTGT100DU170TG в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by

