История:
067426
LSP10480P
020467
2N2924
061443
101788
122210
125161
059422
AM1806EZCE4
184514
002030
122480
ACST1635-8FP
IXBOD1-08
096321
STGIPL20K60
058925
CP-393
ZXTP5240F-7
105478
162PS1J
101886
APT64GA90LD30
067651
055023
RN4907,LF
101955
184319
184488
122238
5407400
122236
5401400
186188
040727
APTGT100H60TG
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Configuration
Full Bridge
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Continuous Collector Current
150 A
Power Dissipation
340 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT100H60TG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль APTGT100H60TG в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by

