APTGT100TL170G
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1700 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2 V
Gate-Emitter Leakage Current
500 nA
Continuous Collector Current
150 A
Power Dissipation
560 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT100TL170G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet