История:
SL1011A250C
KWasar15T60
TLV4082DRYR
AM3894CCYGA120
Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Транзисторы
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBT
APTGT150A120TG
APTGT150A120TG
APTGT150A120TG
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.7 V
Configuration
Dual
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Continuous Collector Current
220 A
Power Dissipation
690 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT150A120TG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.7 V
Configuration
Dual
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Continuous Collector Current
220 A
Power Dissipation
690 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT150A120TG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

