История:
191279
AM1808EZCE3
069496
101958
191280
1065319
CP-416
184353
CP-3148
054819
235211
054800
067426
LSP10480P
020467
2N2924
061443
101788
122210
125161
059422
AM1806EZCE4
184514
002030
122480
ACST1635-8FP
IXBOD1-08
096321
STGIPL20K60
058925
CP-393
ZXTP5240F-7
105478
162PS1J
101886
APT64GA90LD30
067651
055023
RN4907,LF
101955
184319
184488
122238
5407400
122236
5401400
186188
040727
APTGT150A60T3AG
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Configuration
Dual
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Continuous Collector Current
225 A
Power Dissipation
600 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT150A60T3AG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль APTGT150A60T3AG в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by

