История:
SL1011A090E
ZTX753STZ
UMT2907AT106
1N6153A
Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Транзисторы
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBT
APTGT150DH60TG
APTGT150DH60TG
APTGT150DH60TG
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Configuration
Dual
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Continuous Collector Current
225 A
Power Dissipation
480 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT150DH60TG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Configuration
Dual
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Continuous Collector Current
225 A
Power Dissipation
480 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT150DH60TG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

