История:
APT50GP60JDQ2
ZXTP25100CFHTA
2N3705
AVS1ACP08
APT80GA90LD40
ACST1035-7FP
APT80GA60LD40
2N3584
IXBOD2-50R
2N3715
100474
2N2925
2N3716
LSP05480P
2N2923
099314
061444
ASO-220
058904
APT100F50J
021782
126980
095878
LSP05GI347P
058937
2N3707
093860
054592
027654
049585
049362
049592
021778
186170
STGIPS20C60
096407
APTGT150TL60G
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Continuous Collector Current
200 A
Power Dissipation
480 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT150TL60G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль APTGT150TL60G в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by

