История:
2011918390
A2106UC3LTP
2305-1DCG
AC0201FR-0720RL
AC0201JR-07100RL
FB10R06KL4
BSM400GA120DN2
2N3415
2012623166
APTGT50DDA60T3G
BCR4CM-16LH
EQ25-3F36
K2500GH
3063XX
APT54GA60BD30
STGWA40H60DLFB
FF600R17KE3
MLN0603-481
APTGLQ75H65T1G
P0720SBLRP
MLP0805-110
Z0109MA,412
APT2X61D20J
FS150RE12KE3G
BCR30FR-8LB
K3601GLRP
FS100R12N2T4PBPSA1
LSP10240PX3333
TFA32C05DBER
APTGT200TL60G
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Gate-Emitter Leakage Current
800 nA
Continuous Collector Current
300 A
Power Dissipation
652 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT200TL60G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль APTGT200TL60G в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by

