История:
AVS12CB
AVS10CB
ZXTP718MATA
APT80GP60B2G
CMD282
ACST830-8GTR
APTGT225A170G
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1700 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2 V
Configuration
Dual
Gate-Emitter Leakage Current
600 nA
Continuous Collector Current
340 A
Power Dissipation
1.25 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT225A170G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль APTGT225A170G в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by