История:
KWasar15C60
T850H-6G
DD350N12K
Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Транзисторы
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBT
APTGT300DA60D3G
APTGT300DA60D3G
APTGT300DA60D3G
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Configuration
Single
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Continuous Collector Current
400 A
Power Dissipation
940 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT300DA60D3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Configuration
Single
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Continuous Collector Current
400 A
Power Dissipation
940 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT300DA60D3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

