История:
186187
058897
2N1131
186411
121704
001894
059430
184394
101957
022411
2N2907A
001785
STGYA120M65DF2
101948
060772
186413
054736
101904
093742
2N3250
063928
APT40GP90JDQ2
065039
AA77AB0
055013
101783
2N3053
105477
025633
078703
096431
096329
188044
2N3585
062858
021793
093898
100462
LSP05240LLPM
096030
094156
APTGT300TL60G
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Gate-Emitter Leakage Current
800 nA
Continuous Collector Current
400 A
Power Dissipation
935 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT300TL60G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль APTGT300TL60G в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by

