История:
AVS10CB
ZXTP718MATA
APT80GP60B2G
CMD282
ACST830-8GTR
APTGT30TL601G
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Gate-Emitter Leakage Current
300 nA
Continuous Collector Current
50 A
Power Dissipation
90 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT30TL601G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль APTGT30TL601G в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by