История:
019522
ACST830-8GTR
DF200AB160
DF100LB160
187998
Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Транзисторы
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBT
APTGT400A120D3G
APTGT400A120D3G
APTGT400A120D3G
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.7 V
Configuration
Dual
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Continuous Collector Current
580 A
Power Dissipation
2.1 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT400A120D3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.7 V
Configuration
Dual
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Continuous Collector Current
580 A
Power Dissipation
2.1 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT400A120D3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

